科学家研发出新型垂直纳米环栅晶体管 国产2nm芯片有望成功“破冰”
近日,中科院对外宣布,中国科学家研发出了新型垂直纳米环栅晶体管,这种新型晶体管被视为2nm及一下工艺的主要技术候选。这意味着此项技术成熟后,国产2nm芯片有望成功“破冰”,意义重大。
目前最为先进的芯片制造技术为7nm Euv工艺制程,比较出名的就是华为的麒麟990 5G芯片,内置了超过100亿个晶体管。麒麟990首次将将5G Modem集成到SoC上,也是全球首款集成5G Soc,技术上的确实现了巨大突破,也是国产芯片里程碑式的意义。
而继华为之后,中科院研发出了2nm及以下工艺所需要的新型晶体管——叠层垂直纳米环栅晶体管。据悉,早在2016年官方就开始针对此类技术开展相关研究,历经重重困难,中科院斩获全球第一,研发出世界上首个具有自对准栅极的叠层垂直纳米环栅晶体管。
同时这一专利还获得了多项发明专利授权,中科院的这项研究成果意义很大,这种新型垂直纳米环栅晶体管被视为2nm及以下工艺的主要技术候选,可能对国产芯片制造有巨大推动作用。如今在美国企业的逼迫下,国产企业推进自主可控已成为主流意识,市场空间将被进一步打开。相信在5年的时间内,在技术方面将实现全面突破。切断对于华为的技术提供,这将是中国整体研发芯片的一个里程碑式转折,中国将不再过于依赖美国所提供的相关芯片及其技术。
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