刻蚀机和光刻机哪个重要刻蚀机和光刻机的区别

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刻蚀机和光刻机的区别如下：

1.工艺不同：蚀刻机蚀刻硅片多余的部分，光刻机在硅片上雕刻图案。

2.难度：光刻机比蚀刻机难度大，精度高。

等离子蚀刻机又称等离子蚀刻机、等离子平面蚀刻机、等离子蚀刻机、等离子表面处理器、等离子清洗系统等。等离子蚀刻是最常见的干法蚀刻形式。其原理是暴露在电子区域的气体形成等离子体，产生的电离气体和高能电子组成的气体形成等离子体或离子。当电离的气体原子被电场加速时，它们将释放出足够的力来紧紧地附着在材料上或蚀刻表面。在某种程度上，等离子体清洗本质上是等离子体蚀刻的一种轻微情况。干法刻蚀工艺的设备包括反应室、电源和真空部分。工件被送入由真空泵抽空的反应室。气体被引入并与等离子体交换。等离子体在工件表面发生反应，反应的挥发性副产物被真空泵抽走。等离子体刻蚀工艺实际上是一种反应等离子体工艺。

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